Intel и Micron увеличили плотность записи данных

Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке первого в индустрии NAND-чипа с топографическим уровнем менее 40 нм. Созданная компаниями 34-нм микросхема памяти с многоуровневой структурой ячеек вмещает 32 Гбит данных, то есть 4 ГБ. Чип был изготовлен Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием компаний Intel и Micron Technology. «Данный 32-гигабитный чип предлагает самую высокую плотность данных на рынке», - комментирует президент Micron Memory Group Брайан Ширли (Brian Shirley).

Новые чипы памяти будут изготавливаться на 300-нм подложках. На одной такой подложке поместится столько чипов, сколько необходимо для хранения 200 ГБ данных. По данным компании, на один такой NAND-чип может вместиться более 2 тыс. фотографий с высоким разрешением или до 1 тыс. песен. Соединенные в группу из восьми штук, новые чипы позволят записать 64 ГБ информации, что эквивалентно 8-40 часам видео, снятого при помощи камкодера высокой четкости. Разработка также позволит создавать более емкие SSD-накопители, например, 1,8-дюймовые, которые будут вмещать более 256 ГБ информации.