Японцы разработали вечную флэшку

Ученые из японского Института современной прикладной науки и технологий (AIST) и из Университета Токио разработали флэш-память, способную хранить записанную в нее информацию в течение сотен лет. Новые чипы памяти обладают и другим преимуществом — они потребляют меньшее количество электроэнергии по сравнению с современной памятью, так как работают на более низком напряжении, сообщает vnunet.com.


Современная флэш-память, используемая в плеерах, SSD-накопителях, картах памяти для цифровых фотоаппаратов и сотовых телефонов, имеет срок службы около 10 лет. При этом, чем чаще в память выполняется запись информации, тем быстрее она изнашивается, и в некоторых случаях срок эксплуатации флэш-памяти составляет всего несколько лет, по истечении которых запись и надежное хранение информации не гарантируются. Данный недостаток особенно важен, например, для серверов, ведущих непрерывную запись статистической информации.

По словам ученых, постоянная миниатюризация технологического процесса, несмотря на, казалось бы, явные преимущества, ведет к сокращению срока службы памяти и продукта, из которой он сделан. Для того чтобы повысить износостойкость флэш-памяти, японские инженеры разработали новый тип ячейки, изготовленной из сегнетоэлектрика — вещества, свойства которого изменяются под воздействием внешнего электрического поля. Информация в такую ячейку может быть записана 100 млн. раз, в 10 тыс. раз больше по сравнению с флэш-памятью, используемой сегодня, которая разрешает выполнить только лишь около 10 тыс. циклов перезаписи.

Для продления срока работы также была использована специальная технология под названием «wear-levelling», которая распределяет циклы перезаписи по всем ячейкам микросхемы равномерно, препятствуя изнашиванию ячеек в различной степени. Тем не менее, некоторые ячейки все же могут выйти из строя раньше других. Для того чтобы сохранность вновь записываемых данных по-прежнему гарантировалась, такие ячейки отключаются без отключения чипа целиком.

Для работы чипа достаточно напряжения менее 6 В, в то время как для современных чипов требуется около 20 В, то есть новая память может потреблять примерно втрое меньше энергии, чем сейчас.

Наконец, разработанные специалистами AIST ячейки можно будет перевести с 40-нм на 10 нм-топологию без потери надежности. Для сравнения, поколение флэш-памяти, которое разрабатывается сейчас, ориентировано на топологию 30 нм.

По сообщению DailyTech, коммерциализация технологии планируется в течение нескольких лет.